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BCW33LT1
0.02
BCW33LT1 数据手册 (6 页)
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BCW33LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
32.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW

BCW33LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BCW33LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BCW33 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BCW33  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 600 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
ON Semiconductor(安森美)
BCW33 NPN 三极管 32V 0.1A 200MHZ HEF=420~800 代码 D3 SOT23
Philips(飞利浦)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
BCW33 NPN三极管 32V 100mA/0.1A 200MHz 420~800 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 D3 通用开关和放大
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Samsung(三星)
Central Semiconductor
Allegro MicroSystems(急速微电子)
ST Microelectronics(意法半导体)
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