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BCW70LT1
0.04
BCW70LT1 数据手册 (6 页)
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BCW70LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
215 @2mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW

BCW70LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BCW70LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.3 MByte

BCW70 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BCW70  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 250 mW, 100 mA, 150 hFE
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
Diotec Semiconductor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Continental Device
Central Semiconductor
Leshan Radio(乐山无线电)
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