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BCW70LT1G
0.022
BCW70LT1G 数据手册 (7 页)
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BCW70LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
215 @2mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
215
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BCW70LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BCW70LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

BCW70LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BCW70LT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFE
Leshan Radio(乐山无线电)
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