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BCX52E6327
0.111
BCX52E6327 数据手册 (8 页)
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BCX52E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-1.00 A
封装
SOT-89
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
25
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

BCX52E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

BCX52E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.5 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.5 MByte

BCX52 数据手册

NXP(恩智浦)
60 V ,1 A PNP中功率晶体管 60 V, 1 A PNP medium power transistors
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCX52 AM SOT-89 PNP,Vceo=-60V,Ic=-1A,HFE=100-250
Philips(飞利浦)
Diodes(美台)
Nexperia(安世)
Central Semiconductor
Siemens Semiconductor(西门子)
Micro Commercial Components(美微科)
ST Microelectronics(意法半导体)
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