￥ 0.471

BD159G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BD159G 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

BD159G 数据手册 (3 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BD159G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

350 V

额定电流

500 mA

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

350 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

30 @50mA, 10V

额定功率(Max)

20 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

20000 mW

查看数据手册 >

BD159G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BD159G 符合标准

BD159G 海关信息

BD159G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

BD159G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

144 页 / 1.03 MByte

BD159G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

BD159G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.07 MByte

BD159G 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.49 MByte

BD159G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.1 MByte

BD159 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor

BD159 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

BD159 数据手册

Inchange Semiconductor

BD159 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

低功耗快速开关输出级 Low Power Fast Switching Output Stages

BD159 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

BD159 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

BD159 数据手册

Samsung（三星）

BD159 数据手册

C&K Components

BD159 数据手册

TT Electronics Resistors

BD159 数据手册

MMD Components

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号