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BD17910STU
0.45
BD17910STU 数据手册 (4 页)
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BD17910STU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-126-3
极性
NPN
功耗
30 W
增益频宽积
3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数
250
额定功率(Max)
30 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
30000 mW

BD17910STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail
材质
Silicon
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BD17910STU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.13 MByte

BD17910 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
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ON Semiconductor(安森美)
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