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BD179G
0.047
BD179G 数据手册 (4 页)
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BD179G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
30 W
增益频宽积
3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
63 @150mA, 2V
额定功率(Max)
30 W
直流电流增益(hFE)
3
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
30000 mW

BD179G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

BD179G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
45 页 / 0.56 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte

BD179 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Multicomp
MULTICOMP  BD179  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 100 hFE
Continental Device
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