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BD246-S
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BD246-S 数据手册 (4 页)
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BD246-S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-218-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
4 @10A, 4V
额定功率(Max)
3 W

BD246-S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

BD246-S 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
4 页 / 0.09 MByte
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
1 页 / 0.07 MByte

BD246 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 10A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 10A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 10A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
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