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BD435 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

STMICROELECTRONICS BD435 单晶体管双极, NPN, 32 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BD435 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

BD435 数据手册 (4 页)

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BD435 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

36 W

击穿电压(集电极-发射极)

32 V

最小电流放大倍数

40 @10mA, 5V

额定功率(Max)

36 W

直流电流增益(hFE)

140

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

36000 mW

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BD435 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

7.8 mm

宽度

2.7 mm

高度

10.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BD435 符合标准

BD435 概述

BD435 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.04 MByte

BD435 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.28 MByte

BD435 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.01 MByte

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