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BD435G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BD435G 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

BD435G 数据手册 (4 页)

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BD435G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

3 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

32.0 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-126-3

极性

NPN

功耗

36 W

击穿电压(集电极-发射极)

32 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

85 @500mA, 1V

额定功率(Max)

36 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

36000 mW

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BD435G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

宽度

2.66 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BD435G 符合标准

BD435G 海关信息

BD435G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.04 MByte

BD435G 其他数据使用手册

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8 页 / 0.23 MByte

BD435G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.07 MByte

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