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BD788G
0.129
BD788G 数据手册 (6 页)
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BD788G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-4.00 A
封装
TO-126-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
40 @200mA, 3V
额定功率(Max)
15 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

BD788G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
高度
11.04 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

BD788G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
50 页 / 0.83 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte

BD788 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
塑料互补硅功率晶体管 Complementary Plastic Silicon Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BD788G.  双极性晶体管, PNP -60V TO-225
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