￥ 0

BDP 950 E6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-223-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BDP 950 E6327 数据手册 (9 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页

BDP 950 E6327 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BDP 950 E6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-3.00 A

封装

SOT-223-4

功耗

5000 mW

增益频宽积

100 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

最小电流放大倍数

85 @500mA, 1V

额定功率(Max)

5 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

查看数据手册 >

BDP 950 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

查看数据手册 >

BDP 950 E6327 符合标准

BDP 950 E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.51 MByte

BDP950 数据手册

Infineon（英飞凌）

PNP硅自动对焦功率晶体管 PNP Silicon AF Power Transistors

BDP950 数据手册

Siemens Semiconductor（西门子）

BDP 950 数据手册

Infineon（英飞凌）

BDP950H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon BDP950H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

BDP 950 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon

BDP950E6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

BDP 950 E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

BDP950H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon

BDP950E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

BDP950-E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

PNP硅自动对焦功率晶体管 PNP Silicon AF Power Transistors

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号