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BF493S
0.056
BF493S 数据手册 (7 页)
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BF493S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-350 V
额定电流
-500 mA
封装
TO-226-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
40 @10mA, 10V
额定功率(Max)
625 mW

BF493S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BF493S 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BF493 数据手册

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ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP Silicon
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高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP Silicon
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