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BFP 540 H6327
0.142
BFP 540 H6327 数据手册 (10 页)
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BFP 540 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
额定功率
0.25 W
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
250 mW
输入电容
0.65 pF
击穿电压(集电极-发射极)
5 V
增益
16 dB
最小电流放大倍数
50
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
50
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BFP 540 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BFP 540 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.55 MByte

BFP540 数据手册

Infineon(英飞凌)
BFP540 NPN三极管 15V 80mA 30GHz 50~200 SOT-343 marking/标记 AT 高增益低噪声放大器
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
Sanyo Semiconductor(三洋)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP540FESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP540H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP540ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, 50 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
NPN 4.5V 80mA 停产
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