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BFP640E6327BTSA1
0.431
BFP640E6327BTSA1 数据手册 (28 页)
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BFP640E6327BTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-343-4
击穿电压(集电极-发射极)
4.5 V
增益
24 dB
最小电流放大倍数
110 @30mA, 3V
额定功率(Max)
200 mW
耗散功率(Max)
200 mW

BFP640E6327BTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

BFP640E6327BTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.33 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.01 MByte

BFP640E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon(英飞凌)
射频(RF)双极晶体管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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