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BFR193WH6327XTSA1
0.078
BFR193WH6327XTSA1 数据手册 (6 页)
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BFR193WH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
8000 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
额定功率
580 mW
针脚数
3 Position
功耗
580 mW
输入电容
1.8 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
10.5dB ~ 16dB
最小电流放大倍数
70 @30mA, 8V
额定功率(Max)
580 mW
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
580 mW

BFR193WH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFR193WH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.63 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.54 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFR193WH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
Infineon(英飞凌)
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