￥ 0.349

BFU530AR 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

NPN 12 V 11 GHz 18 dB 450 mW 宽带 RF 晶体管 - SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BFU530AR 数据手册 (22 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在18 页

原理图在16 页 17 页

BFU530AR 数据手册 (22 页)

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BFU530AR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

功耗

450 mW

输入电容

0.83 pF

输出功率

10 dBm

击穿电压(集电极-发射极)

12 V

增益

18 dB

最小电流放大倍数

60 @10mA, 8V

额定功率(Max)

450 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

450 mW

电源电压

24 V

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BFU530AR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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BFU530AR 符合标准

BFU530AR 海关信息

BFU530AR 数据手册

NXP（恩智浦）

22 页 / 0.28 MByte

BFU530AR 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

19 页 / 0.14 MByte

BFU530AR 产品修订记录

NXP（恩智浦）

3 页 / 0.21 MByte

BFU530 数据手册

NXP（恩智浦）

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NPN 12 V 11 GHz 18 dB 450 mW 宽带 RF 晶体管 - SOT-23-3

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晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

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晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 95 hFE

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晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 95 hFE

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