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BGT24MR2E6327XUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

RF模块、IC及配件

封装:

VQFN-32

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BGT24MR2E6327XUMA1 数据手册 (26 页)

引脚图在15 页Hot

封装尺寸在23 页

典型应用电路图在20 页

原理图在8 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页

BGT24MR2E6327XUMA1 数据手册 (26 页)

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BGT24MR2E6327XUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

24 GHz

引脚数

32 Pin

封装

VQFN-32

针脚数

32 Position

功耗

500 mW

输出功率

11 dBm

增益

26 dB

工作温度(Max)

105 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

电源电压

3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max)

3.465 V

电源电压(Min)

3.135 V

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BGT24MR2E6327XUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.85 mm

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BGT24MR2E6327XUMA1 符合标准

BGT24MR2E6327XUMA1 海关信息

BGT24MR2E6327XUMA1 概述

BGT24MR2E6327XUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

26 页 / 1.51 MByte

BGT24MR2E6327XUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BGT24MR2E6327XUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

262 页 / 7.41 MByte

BGT24MR2E6327XUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

25 页 / 0.96 MByte

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