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BPW85
器件3D模型
0.202

BPW85 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
T-1
通道数
1 Channel
针脚数
2 Position
波长
850 nm
视角
50°
峰值波长
850 nm
极性
NPN
功耗
100 mW
功耗
100 mW
上升时间
2 µs
击穿电压(集电极-发射极)
70 V
额定功率(Max)
150 mW
下降时间
2.3 µs
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
100 mW

BPW85 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Each
材质
Silicon
高度
4.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 100℃ (TA)

BPW85 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.16 MByte
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