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BPW85B
0.205

BPW85B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电流
50.0 mA
封装
T-1
上升/下降时间
2.3 ns
通道数
1 Channel
针脚数
2 Position
波长
850 nm
视角
25°
峰值波长
850 nm
极性
NPN
功耗
100 mW
功耗
100 mW
上升时间
2 µs
击穿电压(集电极-发射极)
70 V
额定功率(Max)
100 mW
下降时间
2.3 µs
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
100 mW

BPW85B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
材质
Silicon
长度
3.4 mm
宽度
3.4 mm
高度
4.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 100℃

BPW85B 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte

BPW85 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay BPW85, ±25 ° 红外+可见光 光电晶体管, 通孔安装 3mm 封装
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BPW85  光电三极管,T1
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
ATMEL(爱特美尔)
VISHAY(威世)
BPW85 系列光电晶体管Vishay Semiconductor BPW85 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用标准 3mm (T-1) 塑料封装,带透明透镜。 BPW85 光电晶体管对可见光和近红外辐射敏感。 BPW85 系列包括 BPW85、BPW85A、BPW85B 和 BPW85C,它们特别适用于电子控制和驱动电路应用中的检测器。 BPW85 光电晶体管的特征: 3mm (T-1) 封装 通孔安装 光敏性高 高辐射灵敏度 快速响应时间 半强度角:25° 工作温度:-40 至 +100 °C### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BPW85C  光电三极管,T1
VISHAY(威世)
BPW85 系列光电晶体管Vishay Semiconductor BPW85 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用标准 3mm (T-1) 塑料封装,带透明透镜。 BPW85 光电晶体管对可见光和近红外辐射敏感。 BPW85 系列包括 BPW85、BPW85A、BPW85B 和 BPW85C,它们特别适用于电子控制和驱动电路应用中的检测器。 BPW85 光电晶体管的特征: 3mm (T-1) 封装 通孔安装 光敏性高 高辐射灵敏度 快速响应时间 半强度角:25° 工作温度:-40 至 +100 °C### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
BPW85 系列光电晶体管Vishay Semiconductor BPW85 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用标准 3mm (T-1) 塑料封装,带透明透镜。 BPW85 光电晶体管对可见光和近红外辐射敏感。 BPW85 系列包括 BPW85、BPW85A、BPW85B 和 BPW85C,它们特别适用于电子控制和驱动电路应用中的检测器。 BPW85 光电晶体管的特征: 3mm (T-1) 封装 通孔安装 光敏性高 高辐射灵敏度 快速响应时间 半强度角:25° 工作温度:-40 至 +100 °C### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BPW85B  光电三极管, NPN, T-1 3/4
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