器件3D模型

￥ 1.762

BQ2201SNG4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

电源监控芯片

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BQ2201SNG4 数据手册 (15 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在12 页 13 页 14 页

BQ2201SNG4 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BQ2201SNG4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

5.00 V

工作电压

5.00 V

封装

SOIC-8

输出电流

0.16 A

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

电源电压

4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

4.5 V

查看数据手册 >

BQ2201SNG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

1.5 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃

查看数据手册 >

BQ2201SNG4 符合标准

BQ2201SNG4 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.29 MByte

BQ2201SNG4 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

22 页 / 0.59 MByte

BQ2201 数据手册

TI（德州仪器）

SRAM 非易失性控制器 IC，用于 1 个 SRAM 内存组

BQ2201SN-N 数据手册

TI（德州仪器）

SRAM 非易失控制器，Texas InstrumentsSRAM 非易失控制器提供将标准 CMOS SRAM 转换为非易失性读/写存储器的所有必要功能。### 电池管理，Texas Instruments

BQ2201SN 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS BQ2201SN 芯片, SRAM非易失性控制器, 8-SOIC

BQ2201SN-NTR 数据手册

TI（德州仪器）

用于 1 个 SRAM 组的 SRAM 非易失性控制器 IC 8-SOIC -40 to 85

BQ2201PN 数据手册

TI（德州仪器）

SRAM控制单元

BQ2201SNTR 数据手册

TI（德州仪器）

存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC

TI（德州仪器）

TI（德州仪器）

TI（德州仪器）

TI（德州仪器）

存储器控制器 NONVOLATILE SRAM Cntrlr

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号