Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTD18N06G Datasheet 文档
NTD18N06G
0
NTD18N06G 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTD18N06G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
51.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
55 W
输入电容
710 pF
栅电荷
30.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
710pF @25V(Vds)
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.1 W

NTD18N06G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Rail
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD18N06G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.11 MByte

NTD18N06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 18安培, 60伏 Power MOSFET 18 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
18A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
60V,18A,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
18A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
18A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
60V,18A,N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z