器件3D模型

￥ 4.902

BQ2201SN-N 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

存储芯片

封装:

SOIC-8

描述:

SRAM 非易失控制器，Texas InstrumentsSRAM 非易失控制器提供将标准 CMOS SRAM 转换为非易失性读/写存储器的所有必要功能。### 电池管理，Texas Instruments

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3D模型

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焊盘图

引脚图

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BQ2201SN-N 数据手册 (15 页)

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BQ2201SN-N 数据手册 (15 页)

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BQ2201SN-N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

5.00 V

封装

SOIC-8

输出电流

0.16 A

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

4.5 V

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BQ2201SN-N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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BQ2201SN-N 符合标准

BQ2201SN-N 海关信息

BQ2201SN-N 概述

BQ2201SN-N 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.29 MByte

BQ2201SN-N 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

21 页 / 0.7 MByte

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