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DMN601K-7
0.013
DMN601K-7 数据手册 (9 页)
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DMN601K-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
300 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
350 mW
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
300 mA
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

DMN601K-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

DMN601K-7 数据手册

Diodes(美台)
9 页 / 0.2 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
4 页 / 0.27 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

DMN601 数据手册

Diodes(美台)
·低导通电阻RDS(ON)·低栅极阈值电压·低输入电容·开关速度快·低输入/输出漏·无铅设计/ RoHS规定(注2)·ESD保护高达2kV·“绿色”设备(注4)
Diodes(美台)
N-沟道 60 V 0.3 A 2 Ω 表面贴装 Mosfet - SOT-523
Diodes(美台)
DMN601DWK-7 编带
Diodes(美台)
DMN601 系列 60 V 2.4 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-6
Diodes(美台)
DMN601VK-7 编带
Diodes(美台)
DMN601WK-7 编带
Diodes(美台)
DMN6013LFG-7 编带
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN601WKQ-7 SOT-323-3
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN601VKQ-7 SOT-563
Vishay Semiconductor(威世)
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