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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > TI(德州仪器) > BQ4013MA-120 Datasheet 文档
BQ4013MA-120
器件3D模型
41.84

BQ4013MA-120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
32 Pin
电源电压
5.00 V
封装
DIP-32
供电电流
50 mA
存取时间
120 ns
存取时间(Max)
120 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
4.75V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.75 V

BQ4013MA-120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
42.8 mm
宽度
18.42 mm
高度
9.4 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)

BQ4013MA-120 数据手册

TI(德州仪器)
15 页 / 0.32 MByte
TI(德州仪器)
46 页 / 1.8 MByte

BQ4013 数据手册

TI(德州仪器)
128Kx8 非易失性 SRAM,5% 电压容限
TI(德州仪器)
128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
TI(德州仪器)
128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
TI(德州仪器)
128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
TI(德州仪器)
128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
TI(德州仪器)
128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
TI(德州仪器)
128的K× 8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
TI(德州仪器)
128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
TI(德州仪器)
128的K× 8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
TI(德州仪器)
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