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BS107P 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

BS107 系列 200 V 23 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET -TO-92

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BS107P 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

BS107P 数据手册 (5 页)

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BS107P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

120 mA

封装

TO-92-3

漏源极电阻

30.0 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

120 mA

额定功率(Max)

500 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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BS107P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

BS107P 符合标准

BS107P 数据手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.63 MByte

BS107P 其他数据使用手册

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