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BC846BM3T5G
0.015
BC846BM3T5G 数据手册 (5 页)
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BC846BM3T5G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
65.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-723-3
额定功率
0.265 W
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
265 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
265 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
265 mW

BC846BM3T5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
1.25 mm
宽度
0.85 mm
高度
0.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC846BM3T5G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

BC846BM3T5 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
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