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BSB013NE2LXI 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

MG-WDSON-2

描述:

25V,163A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSB013NE2LXI 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页 8 页 9 页

BSB013NE2LXI 数据手册 (11 页)

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BSB013NE2LXI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

MG-WDSON-2

额定功率

57 W

极性

N-CH

功耗

2.8W (Ta), 57W (Tc)

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

36A

上升时间

6.4 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

2.8 W

下降时间

4.8 ns

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 57W (Tc)

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BSB013NE2LXI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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BSB013NE2LXI 符合标准

BSB013NE2LXI 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.58 MByte

BSB013NE2LXI 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSB013NE2LXI 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

BSB013NE2LXI 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSB013NE2 数据手册

BSB013NE2LXIXUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

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Infineon（英飞凌）

25V,163A,N沟道功率MOSFET

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