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MJB45H11 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJB45H11 数据手册 (7 页)

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MJB45H11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-10.0 A

封装

TO-263-3

极性

PNP

功耗

50 W

增益频宽积

50 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

10A

最小电流放大倍数

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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MJB45H11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

800

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MJB45H11 符合标准

MJB45H11 概述

MJB45H11 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

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