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BSC010NE2LSI 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC010NE2LSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC010NE2LSI 数据手册 (12 页)

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BSC010NE2LSI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0009 Ω

极性

N-Channel

功耗

96 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

38A

上升时间

6.2 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

96 W

下降时间

4.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

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BSC010NE2LSI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC010NE2LSI 符合标准

BSC010NE2LSI 海关信息

BSC010NE2LSI 概述

BSC010NE2LSI 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.36 MByte

BSC010NE2LSI 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC010NE2LSI 用户编程技术手册

Infineon（英飞凌）

86 页 / 1.11 MByte

BSC010NE2LSI 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC010NE2LSI 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC010NE2 数据手册

BSC010NE2LS 数据手册

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INFINEON BSC010NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V

BSC010NE2LSI 数据手册

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INFINEON BSC010NE2LSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

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