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BSC010NE2LSI
0.798
BSC010NE2LSI 数据手册 (12 页)
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BSC010NE2LSI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0009 Ω
极性
N-Channel
功耗
96 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
38A
上升时间
6.2 ns
输入电容值(Ciss)
4200pF @12V(Vds)
额定功率(Max)
96 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)

BSC010NE2LSI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC010NE2LSI 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
86 页 / 1.11 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC010NE2 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC010NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC010NE2LSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC010NE2LSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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