BSC018N04LS G

￥ 0.382

BSC018N04LS G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

N沟道 40V 100A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC018N04LS G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC018N04LS G 数据手册 (10 页)

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BSC018N04LS G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.5 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

7.4 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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BSC018N04LS G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC018N04LS G 符合标准

BSC018N04LS G 数据手册

BSC018N04LS G 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.35 MByte

BSC018N04LS G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC018N04LS G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC018N04LS G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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