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BSC028N06LS3
3.667
BSC028N06LS3 数据手册 (9 页)
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BSC028N06LS3 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON EP
漏源极电压(Vds)
60 V

BSC028N06LS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.54 MByte

BSC028N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06LS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
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