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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > BSC028N06NSTATMA1 Datasheet 文档
BSC028N06NSTATMA1
1.017

BSC028N06NSTATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
TDSON
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0023 Ω
功耗
100 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
38 ns
输入电容值(Ciss)
2700pF @30V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

BSC028N06NSTATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSC028N06NSTATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte

BSC028N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC028N06LS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
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