BSC035N04LSGATMA1

￥ 0.403

BSC035N04LSGATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC035N04LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC035N04LSGATMA1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC035N04LSGATMA1 数据手册 (10 页)

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BSC035N04LSGATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

69 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0029 Ω

极性

N-Channel

功耗

69 W

阈值电压

2 V

输入电容

3800 pF

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

4.6 ns

输入电容值(Ciss)

3800pF @20V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

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BSC035N04LSGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC035N04LSGATMA1 符合标准

BSC035N04LSGATMA1 概述

BSC035N04LSGATMA1 数据手册

BSC035N04LSGATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.37 MByte

BSC035N04LSGATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC035N04LSGATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC035N04LSGATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC035N04LSGATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSC035N04 数据手册

BSC035N04LSGATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC035N04LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2 V

BSC035N04LS G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC035N04LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.9 mohm, 10 V

BSC035N04LSG 数据手册

Infineon（英飞凌）

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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