￥ 1.002

BSC037N08NS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC037N08NS5ATMA1 数据手册 (12 页)

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BSC037N08NS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

114 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

5.3 mΩ

极性

N-CH

功耗

114 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

3200pF @40V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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BSC037N08NS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC037N08NS5ATMA1 符合标准

BSC037N08NS5ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.19 MByte

BSC037N08NS5ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC037N08NS5ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC037N08NS5ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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N沟道 80V 100A

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