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ZXMP10A18GTA
0.428
ZXMP10A18GTA 数据手册 (7 页)
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ZXMP10A18GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-3.70 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
P-Channel
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.70 A
上升时间
6.8 ns
输入电容值(Ciss)
1055pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
17.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZXMP10A18GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP10A18GTA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.25 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.49 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.8 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZXMP10A18 数据手册

Diodes(美台)
ZXMP10A18 系列 100 V 0.15 Ohm P 沟道 增强模式 MOSFET - DPAK
Diodes(美台)
ZXMP10A18GTA 编带
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
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