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BSC060P03NS3EG
0.539
BSC060P03NS3EG 数据手册 (9 页)
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BSC060P03NS3EG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TDSON
极性
P-Channel
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83 W

BSC060P03NS3EG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.35 mm
宽度
5.35 mm
高度
1.1 mm

BSC060P03NS3EG 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.51 MByte

BSC060P03NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC060P03NS3EGATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC060P03NS3E G  晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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