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BSC100N06LS3GATMA1
0.471
BSC100N06LS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSC100N06LS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
额定功率
50 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0078 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
1.7 V
输入电容
2600 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
2600pF @30V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)

BSC100N06LS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.49 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSC100N06LS3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

BSC100N06LS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC100N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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