￥ 3.778

BSC600N25NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC600N25NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC600N25NS3 G 数据手册 (9 页)

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BSC600N25NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

2350pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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BSC600N25NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC600N25NS3 G 符合标准

BSC600N25NS3 G 海关信息

BSC600N25NS3 G 概述

BSC600N25NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.47 MByte

BSC600N25NS3 数据手册

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INFINEON BSC600N25NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V

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