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BSD223PH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

BSD223P 系列 20V 1.2 Ohm 双 P沟道. OptiMOS® 小信号晶体管-PG-SOT-363

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSD223PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSD223PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSD223PH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

额定功率

0.25 W

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.7 Ω

极性

P-Channel

功耗

0.25 W

输入电容

45 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.39A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

56pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

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BSD223PH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSD223PH6327XTSA1 符合标准

BSD223PH6327XTSA1 概述

BSD223PH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.31 MByte

BSD223PH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSD223PH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSD223PH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSD223PH6327 数据手册

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BSD223P 系列 20V 1.2 Ohm 双 P沟道. OptiMOS® 小信号晶体管-PG-SOT-363

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