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IRF540ZSPBF
0.2
IRF540ZSPBF 数据手册 (12 页)
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IRF540ZSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
92 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0265 Ω
极性
N-Channel
功耗
92 W
阈值电压
4 V
输入电容
1770pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
36A
上升时间
51 ns
输入电容值(Ciss)
1770pF @25V(Vds)
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
92W (Tc)

IRF540ZSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail, Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF540ZSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.56 MByte

IRF540 数据手册

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N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
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N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 28A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
Vishay Intertechnology
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