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BSD235CH6327XT
0.093
BSD235CH6327XT 数据手册 (13 页)
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BSD235CH6327XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363-6
极性
N+P
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.95A/0.53A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BSD235CH6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm

BSD235CH6327XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.32 MByte

BSD235CH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSD235C H6327  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6
Infineon(英飞凌)
20/20V,1200/350mΩ,-0.53/0.95A,P/N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号 晶体管-SOT-363
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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