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BSD235CH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号晶体管-SOT-363

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSD235CH6327XTSA1 数据手册 (13 页)

封装尺寸在12 页

BSD235CH6327XTSA1 数据手册 (13 页)

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BSD235CH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

额定功率

0.5 W

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.266 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

950 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.95A/0.53A

输入电容值(Ciss)

47pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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BSD235CH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSD235CH6327XTSA1 符合标准

BSD235CH6327XTSA1 概述

BSD235CH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.5 MByte

BSD235CH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSD235CH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSD235CH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSD235CH6327 数据手册

BSD235C H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSD235C H6327 场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6

BSD235CH6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

20/20V,1200/350mΩ,-0.53/0.95A,P/N沟道小信号MOSFET

BSD235CH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N & P 沟道 ±20 V 1200/350 mΩ OptiMOS 2 小信号晶体管-SOT-363

BSD235CH6327XT 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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