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BSH111BK
0.046
BSH111BK 数据手册 (16 页)
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BSH111BK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.3 Ω
极性
N-Channel
功耗
302 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
0.21A
工作温度(Max)
150 ℃

BSH111BK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

BSH111BK 数据手册

NXP(恩智浦)
16 页 / 0.27 MByte

BSH111 数据手册

NXP(恩智浦)
BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
World Products
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 210 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
NXP(恩智浦)
NXP  BSH111,215.  场效应管, MOSFET, N沟道
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  BSH111BK  小信号场效应管, MOSFET 新
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