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BSH111 数据手册

型号系列:

BSH111 系列

分类:

MOS管

描述:

BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3

文档:

BSH111BKR 数据手册 (18 页)

更新于: 2023/09/27 08:38:53 (UTC + 8)

BSH111 MOS管数据手册

BSH111BKR

数据手册 (18 页)

3.1

Nexperia（安世）

BSH111

数据手册 (18 页)

0.2

Nexperia（安世）

BSH111

数据手册 (17 页)

1.3

NXP（恩智浦）

BSH111BKR

数据手册 (17 页)

0.3

NXP（恩智浦）

BSH111 数据手册 MOS管

BSH111,215

数据手册

15 页

Nexperia（安世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V

BSH111,215

数据手册

14 页

NXP（恩智浦）

NXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道

BSH111,235

数据手册

14 页

Nexperia（安世）

BSH111,235

数据手册

14 页

NXP（恩智浦）

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BSH111 - NXP（恩智浦）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

极性

N-Channel

功耗

830 mW

BSH111 - NXP（恩智浦）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 55V

●\---|---

●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 55V

●最大漏极电流Id Drain Current| 335mA/0.335A

●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance|

●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage|

●耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W

●Description & Applications| TrenchMOS™ technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.

●描述与应用| 开关速度非常快逻辑电平兼容超小型表面贴装封装门源的ESD保护二极管

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