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BSL307SP
0.309
BSL307SP 数据手册 (9 页)
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BSL307SP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-5.50 A
封装
TSOP-6-6
通道数
1 Channel
极性
P-CH
功耗
2W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
8.4 ns
输入电容值(Ciss)
805pF @25V(Vds)
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

BSL307SP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSL307SP 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.45 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSL307 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSL307SPH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.031 ohm, -10 V, -1.5 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSL307SP L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.031 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
30V,-5.5A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
30V,43mΩ,-5.5A,P沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
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