STW47NM60ND

￥ 6.548

STW47NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道600 V ， 0.075 I© （典型值），十五FDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 247封装 N-channel 600 V, 0.075 Î© typ., 35 A FDmeshâ¢ II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW47NM60ND 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STW47NM60ND 数据手册 (13 页)

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STW47NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

255 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

35A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

225 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

255W (Tc)

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STW47NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STW47NM60ND 符合标准

STW47NM60ND 数据手册

STW47NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STW47NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STW47NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 1.22 MByte

STW47NM60 数据手册

STW47NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.075ohm - 47A TO- 247 MOSFET MDmesh⑩Power N-CHANNEL 600V - 0.075ohm - 47A TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

STW47NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V ， 0.075 I© （典型值），十五FDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 247封装 N-channel 600 V, 0.075 Î© typ., 35 A FDmeshâ¢ II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package

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