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BSM25GD120DN2
68.663
BSM25GD120DN2 数据手册 (143 页)
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BSM25GD120DN2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
17 Pin
封装
EconoPACK
针脚数
17 Position
极性
N-Channel
功耗
200 W
工作温度(Max)
125 ℃
耗散功率(Max)
200 W

BSM25GD120DN2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Design
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
高度
17 mm

BSM25GD120DN2 数据手册

Infineon(英飞凌)
143 页 / 8.51 MByte
Infineon(英飞凌)
143 页 / 8.42 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.26 MByte

BSM25GD120 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSM25GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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