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BSO613SPVGHUMA1
0.585
BSO613SPVGHUMA1 数据手册 (9 页)
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BSO613SPVGHUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-3.44 A
封装
PG-DSO-8
额定功率
2.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
3 V
输入电容
875 pF
栅电荷
30.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
3.44 A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
700pF @25V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

BSO613SPVGHUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSO613SPVGHUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
45 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSO613 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO613SPVGHUMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.44 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
60V,-3.44A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
P沟道 60V 3.44A
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