Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSO613SPV G 数据手册 > BSO613SPV G 数据手册 1/9 页
￥ 2.136
BSO613SPV G 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PG-DSO-8
描述:
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
功能描述在P1
电气规格在P2P3P4
导航目录
BSO613SPV G数据手册
Page:
of 9 Go
若手册格式错乱，请下载阅览PDF原文件
2011-05-31
Rev.1.4 Page 1
BSO613SPV G
SIPMOS
Power-Transistor
Features
·
P-Channel
·
Enhancement mode
·
Avalanche rated
·
d
v
/d
t
rated
Product Summary
Drain source voltage
V
DS
-60 V
Drain-source on-state resistance 0.13
W
R
DS(on)
Continuous drain current A
I
D
-3.44
SIS00062
G
45
D
S
36
D
S
27
D
S
18
Top View
D
Type
Package
Lead free
BSO613SPV G
PG-SO 8
Yes
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
Continuous drain current
T
A
= 25 °C
I
D
-3.44
A
Pulsed drain current
T
A
= 25 °C
I
D puls
-13.8
Avalanche energy, single pulse
I
D
= -3.44 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
E
AS
150
mJ
0.25
E
AR
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= -3.44 A,
V
DS
= -48 V, d
i
/d
t
= 200 A/µs,
T
jmax
= 150 °C
d
v
/d
t
6
kV/µs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
T
A
= 25 °C
P
tot
2.5
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55... +150
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/150/56
° Qualified according to AEC Q101
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
